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晶体管
BSC060P03NS3E G参考图片

图片仅供参考, 请参阅产品规格

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BSC060P03NS3E G

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET P-Ch -30V -100A TDSON-8 OptiMOS P3
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库存:14,009(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥8.2942
8.2942
10
¥7.0964
70.964
100
¥5.4579
545.79
500
¥4.8251
2412.55
1,000
¥3.8081
3808.1
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TDSON-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
100 A
Rds On-漏源导通电阻
6 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
Qg-栅极电荷
61 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
83 W
配置
Single
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.27 mm
长度
5.9 mm
系列
OptiMOS P3
晶体管类型
1 P-Channel
宽度
5.15 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
34 nS
产品类型
MOSFET
上升时间
139 nS
工厂包装数量
5000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
66 nS
零件号别名
BSC060P03NS3EGATMA1 BSC6P3NS3EGXT SP000472984
单位重量
100 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 40V POWERBLOCK N CH MOSFET
1:¥45.2565
10:¥40.7252
100:¥33.3463
250:¥31.3462
500:¥28.4308
参考库存:6876
晶体管
MOSFET 60V 240A TO-LL N-Chnl PowerTrench
1:¥26.5098
10:¥22.5887
100:¥19.5942
250:¥18.5998
2,000:¥13.3679
4,000:查看
参考库存:11928
晶体管
MOSFET Dual P-Channel 60V AEC-Q101 Qualified
1:¥12.9046
10:¥10.6785
100:¥8.2264
500:¥7.0173
1,000:¥5.537
2,500:¥5.537
参考库存:25825
晶体管
MOSFET HIGH POWER_NEW
1:¥39.1093
10:¥33.2672
100:¥28.815
250:¥27.3573
3,000:¥19.6733
参考库存:3507
晶体管
IGBT 模块 PTD HIGH VOLTAGE
1:¥301.1337
5:¥294.4554
10:¥281.0084
25:¥269.2451
参考库存:1679
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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