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晶体管
IPD65R600C6BTMA1参考图片

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IPD65R600C6BTMA1

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 700V 7.3A DPAK-2 CoolMOS C6
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库存:47,858(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥11.1418
11.1418
10
¥9.5259
95.259
100
¥7.3337
733.37
500
¥6.4862
3243.1
1,000
¥5.1189
5118.9
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
7.3 A
Rds On-漏源导通电阻
540 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
23 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
63 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
2.3 mm
长度
6.5 mm
系列
XPD65R600
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
6.22 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
13 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
9 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
80 ns
典型接通延迟时间
12 ns
零件号别名
IPD65R600C6 IPD65R6C6XT SP000745020
单位重量
4 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PRE-BIAS NPN 200mW
1:¥1.6159
10:¥1.10627
100:¥0.46104
1,000:¥0.31527
3,000:¥0.24634
参考库存:16270
晶体管
MOSFET P-CH Enhancmnt Mode MOSFET
暂无价格
参考库存:24772
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30 PowerDI3333-8 T&R 2K
1:¥3.842
10:¥3.1979
100:¥1.9549
1,000:¥1.5029
2,000:¥1.2882
参考库存:11452
晶体管
MOSFET HIGH POWER_NEW
1:¥22.1254
10:¥18.7467
100:¥14.9838
500:¥13.1419
1,000:¥10.9158
参考库存:4054
晶体管
MOSFET POWER MOSFET TRANSISTOR
2,500:¥6.7461
5,000:¥6.2489
参考库存:24781
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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