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晶体管
HUF75639G3参考图片

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HUF75639G3

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库存:4,967(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥21.7412
21.7412
10
¥18.5207
185.207
100
¥14.8256
1482.56
500
¥12.9837
6491.85
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
56 A
Rds On-漏源导通电阻
25 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
200 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
UltraFET
封装
Tube
高度
20.82 mm
长度
15.87 mm
系列
HUF75639G3
晶体管类型
1 N-Channel
类型
MOSFET
宽度
4.82 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
下降时间
25 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
60 ns
工厂包装数量
450
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
20 ns
典型接通延迟时间
15 ns
零件号别名
HUF75639G3_NL
单位重量
6.390 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 晶体管 600V 40A Field Stop
1:¥23.4362
10:¥19.8993
100:¥17.289
250:¥16.3624
500:¥14.6787
参考库存:6445
晶体管
MOSFET 20V 2xCommon Drn Nch PowerTrench MOSFET
1:¥4.7686
10:¥3.9324
100:¥2.5312
1,000:¥2.034
3,000:¥1.7176
参考库存:20027
晶体管
MOSFET 20V N-channel Trench MOSFET
1:¥2.9154
10:¥1.8645
100:¥0.79891
1,000:¥0.61472
10,000:¥0.41471
20,000:查看
参考库存:58259
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Si Transistor
1:¥3.842
10:¥3.164
100:¥1.9323
1,000:¥1.4916
参考库存:30276
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS HV BISS TAPE-7
1:¥3.3787
10:¥2.7459
100:¥1.6724
1,000:¥1.2995
3,000:¥1.10627
参考库存:18183
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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