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晶体管
FDN336P参考图片

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FDN336P

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库存:82,749(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥3.5369
3.5369
10
¥2.9719
29.719
100
¥1.808
180.8
1,000
¥1.4012
1401.2
3,000
¥1.1978
3593.4
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SSOT-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
1.3 A
Rds On-漏源导通电阻
200 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
8 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
500 mW (1/2 W)
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
PowerTrench
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.12 mm
长度
2.9 mm
产品
MOSFET Small Signal
系列
FDN336P
晶体管类型
1 P-Channel
类型
MOSFET
宽度
1.4 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值
4 S
下降时间
12 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
12 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
16 ns
典型接通延迟时间
7 ns
零件号别名
FDN336P_NL
单位重量
30 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 晶体管 IGBT
1:¥24.6679
10:¥22.0576
25:¥19.8202
50:¥18.984
参考库存:47446
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Transistor 200mW
1:¥2.0001
10:¥1.8419
100:¥1.1978
1,000:¥0.40002
3,000:¥0.32996
参考库存:47451
晶体管
IGBT 模块
1:¥3,866.973
5:¥3,633.9896
参考库存:47456
晶体管
JFET JFET N-Channel -40V 3.0mA 20Vds -30Vgs
705:¥9.605
1,000:¥7.91
2,500:¥7.0964
10,000:¥6.8252
参考库存:47461
晶体管
IGBT 模块 Power Module - IGBT
1:¥506.8389
5:¥491.55
10:¥477.0973
25:¥447.2879
参考库存:47466
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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