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晶体管
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RSD200N05TL

  • ROHM Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET 4V Drive Nch MOSFET Drive Nch
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库存：37,840(价格仅供参考)
数量单价合计
2,500
¥2.7459
6864.75
10,000
¥2.6442
26442
25,000
¥2.5538
63845
询价数量：
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ROHM Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
45 V
Id-连续漏极电流
20 A
Rds On-漏源导通电阻
20 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
12 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
20 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Reel
系列
RSD200N05
晶体管类型
1 N-Channel
商标
ROHM Semiconductor
下降时间
20 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
20 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
50 ns
典型接通延迟时间
10 ns
零件号别名
RSD200N05
单位重量
340 mg
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
PTRA094252FC-V1-R0
Wolfspeed / Cree
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Power Amplifier
50:¥878.2021
参考库存:40153
MMBT2222A RF
Taiwan Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 0,35mW NPN Transistor
3,000:¥0.23843
9,000:¥0.18419
24,000:¥0.1695
45,000:¥0.15368
99,000:¥0.12317
参考库存:40158
GTVA263202FC-V1-R2
Wolfspeed / Cree
晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 RF LDMOS FET
250:¥1,866.1385
参考库存:40163
SUD35N10-26P-T4GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET N-Channel 100-V D-S
2,500:¥7.7631
参考库存:40168
TSM301K12CQ RFG
Taiwan Semiconductor
晶体管
MOSFET 20V P channel Mosfet with schottky diode
1:¥5.6048
10:¥4.6895
100:¥3.5369
500:¥2.599
3,000:¥1.7741
6,000:查看
参考库存:40173

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

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