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晶体管
NVD5C684NLT4G参考图片

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NVD5C684NLT4G

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET T6 60V LL DPAK
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库存:47,579(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥6.2263
6.2263
10
¥5.198
51.98
100
¥3.3561
335.61
1,000
¥2.6894
2689.4
2,500
¥2.2713
5678.25
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
38 A
Rds On-漏源导通电阻
13.7 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
9.6 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
27 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
NVD5C684NL
晶体管类型
1 N-Channel
商标
ON Semiconductor
正向跨导 - 最小值
30 S
下降时间
40 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
43 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
25 ns
典型接通延迟时间
8 ns
单位重量
340 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SS GP XSTR NPN 45V
1:¥1.2317
10:¥1.06785
100:¥0.37629
1,000:¥0.25312
3,000:¥0.1921
参考库存:120591
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Leaded Power Transistor
1:¥92.208
10:¥91.2814
25:¥84.4449
100:¥77.5293
参考库存:2218
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Epitaxial Transistor
1:¥1.7628
10:¥1.1639
100:¥0.48364
1,000:¥0.32996
3,000:¥0.26103
参考库存:79530
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Epitaxial Sil
1:¥4.6104
10:¥3.7855
100:¥2.4408
1,000:¥1.9549
2,000:¥1.9549
参考库存:18112
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SS GP XSTR SPCL TR
1:¥1.1526
10:¥1.02943
100:¥0.36838
1,000:¥0.24634
3,000:¥0.18419
参考库存:102659
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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