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晶体管
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DGTD65T60S2PT

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 IGBT 600V-X TO247 TUBE 0.45K
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数量单价合计
1
¥36.8832
36.8832
10
¥31.3462
313.462
100
¥27.1991
2719.91
250
¥25.8205
6455.125
500
¥23.1311
11565.55
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
IGBT 晶体管
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.85 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
100 A
Pd-功率耗散
428 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
100 A
商标
Diodes Incorporated
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
450
子类别
IGBTs
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
APTGT100TDU60PG
Microsemi
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IGBT 模块 Power Module - IGBT
100:¥912.9383
参考库存:41899
CMPF4391 TR
Central Semiconductor
晶体管
JFET N-Ch JFET 40Vgd 40Vgs 40Vds 350mW
1:¥7.6049
10:¥6.2602
100:¥5.2093
500:¥4.0228
3,000:¥3.2205
9,000:查看
参考库存:156794
2N3442
Microsemi
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双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Transistor
100:¥276.7822
250:¥258.3406
参考库存:41906
2SK209-BL(TE85L,F)
Toshiba
晶体管
JFET N-Ch 10mA -50V FET 150 mW Audio LNA
暂无价格
参考库存:41911
PTFC261402FC-V1-R0
Wolfspeed / Cree
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
50:¥646.5295
参考库存:41916

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