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晶体管
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DGTD65T60S2PT

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 IGBT 600V-X TO247 TUBE 0.45K
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数量单价合计
1
¥36.8832
36.8832
10
¥31.3462
313.462
100
¥27.1991
2719.91
250
¥25.8205
6455.125
500
¥23.1311
11565.55
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
IGBT 晶体管
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.85 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
100 A
Pd-功率耗散
428 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
100 A
商标
Diodes Incorporated
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
450
子类别
IGBTs
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
NVTFS6H854NWFTAG
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET TRENCH 8 80V NFET
1:¥7.9891
10:¥6.8478
100:¥5.2545
500:¥4.6443
1,500:¥3.2544
9,000:查看
参考库存:10931
TK7A55D(STA4,Q,M)
Toshiba
晶体管
MOSFET N-Ch MOS 7A 550V 35W 700pF 1.25
1:¥12.3735
10:¥9.9892
100:¥7.6275
500:¥6.7348
参考库存:26683
DMN3015LSD-13
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET Dual N-Ch Enh FET 30Vdss 20Vgss 80A
1:¥4.6895
10:¥3.8872
100:¥2.373
1,000:¥1.8419
2,500:¥1.5594
参考库存:15963
TPC8092,LQ(S
Toshiba
晶体管
MOSFET N-Ch 30V FET 15A 1.9W 1800pF
2,500:¥2.1244
10,000:¥2.0453
25,000:¥1.9549
参考库存:26690
DMC5610N0R
Panasonic
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 Transistor w/resistr 2.0x2.1mm Flat lead
3,000:¥0.53788
9,000:¥0.49155
24,000:¥0.46104
45,000:¥0.4068
参考库存:26695

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

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