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晶体管
NVD5C460NT4G参考图片

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NVD5C460NT4G

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET T6 40V DPAK EXP
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库存:44,490(价格仅供参考)
数量单价合计
2,500
¥2.9945
7486.25
10,000
¥2.8702
28702
25,000
¥2.7911
69777.5
询价数量:
加入询价单立即询价
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DPAK-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
70 A
Rds On-漏源导通电阻
4.9 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
26 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
47 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Reel
商标
ON Semiconductor
正向跨导 - 最小值
62 S
下降时间
5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
27 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
21 ns
典型接通延迟时间
11 ns
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET P-CH 20V 2A TUMT3
1:¥6.0681
10:¥5.0285
100:¥3.2431
1,000:¥2.599
3,000:¥2.1922
参考库存:50219
晶体管
MOSFET N+P 30 20V 1.5A TSMT6
1:¥3.9211
10:¥3.2544
100:¥1.9775
1,000:¥1.5255
3,000:¥1.5029
参考库存:50224
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 AF DIGITAL TRANSISTOR
1:¥2.6894
10:¥1.7628
100:¥0.75258
1,000:¥0.58421
3,000:¥0.44522
参考库存:50229
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF PWR N-Ch MOS 350W 22dB 30MHz
1:¥1,051.7814
5:¥1,031.1137
10:¥983.0887
25:¥962.421
参考库存:7052
晶体管
MOSFET N-Ch 650V 25A TO247-3 CoolMOS CP
1:¥48.8725
10:¥41.4936
100:¥35.9566
250:¥34.1147
500:¥30.6569
参考库存:50236
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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