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VS-GB150TS60NPBF

  • Vishay Semiconductors
  • 新批次
  • IGBT 模块 138 Amp 600 Volt Half-Bridge
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数量单价合计
15
¥656.2136
9843.204
30
¥634.3142
19029.426
60
¥625.6358
37538.148
105
¥590.6736
62020.728
询价数量：
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
IGBT 模块
RoHS
是
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
在25 C的连续集电极电流
138 A
封装 / 箱体
INT-A-PAK
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Bulk
高度
30 mm
长度
94 mm
宽度
35 mm
商标
Vishay Semiconductors
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
15
子类别
IGBTs
商标名
HEXFRED
零件号别名
GB150TS60NPBF
单位重量
200 g
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
PXAC201202FC-V2-R250
Wolfspeed / Cree
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
250:¥512.6019
参考库存:42708
HUFA76413DK8T-F085
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET 60V Dual N-Channel Logic Level UltraFER
2,500:¥5.4353
5,000:¥5.2432
10,000:¥5.0285
参考库存:42713
EFC2J011NUZTDG
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET NCH 12V 55A WLCSP1
5,000:¥6.4975
10,000:¥6.2489
参考库存:42718
PTVA123501EC-V2-R0
Wolfspeed / Cree
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
50:¥3,941.1236
参考库存:42723
IPD80N04S306ATMA1
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET N-CHANNEL_30/40V
2,500:¥3.7629
10,000:¥3.616
25,000:¥3.5143
参考库存:42728

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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