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晶体管
STS10P3LLH6参考图片

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STS10P3LLH6

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET P-channel -30 V, 0.01 Ohm typ., -12.5 A, STripFET H6 Power MOSFET in a SO-8 package
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库存:13,605(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥11.3678
11.3678
10
¥9.6841
96.841
100
¥7.4354
743.54
500
¥6.5766
3288.3
2,500
¥4.5991
11497.75
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SO-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
12.5 A
Rds On-漏源导通电阻
12 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
33 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2.7 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
STripFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
STS10P3LLH6
晶体管类型
1 P-Channel Power MOSFET
商标
STMicroelectronics
下降时间
45 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
112 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
61 ns
典型接通延迟时间
12.8 ns
单位重量
506.600 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-CH 60 V 360 mA
1:¥2.6103
10:¥1.7402
100:¥0.72998
1,000:¥0.49946
3,000:¥0.39211
参考库存:796107
晶体管
MOSFET RECOMMENDED ALT 844-IRLR024
1:¥14.8256
10:¥13.447
100:¥10.8367
500:¥8.4524
1,000:¥6.9495
参考库存:16309
晶体管
MOSFET N-CH 200V HEXFET MOSFET D2-PA
1:¥20.2835
10:¥16.9048
100:¥13.0628
500:¥11.4469
1,000:¥9.5259
参考库存:17311
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 4-6GHz 5W 32Volt P3dB 38.4 dBm GaN
1:¥345.78
25:¥307.36
100:¥268.94
250:¥245.888
参考库存:2713
晶体管
JFET 25V 10mA
1:¥3.5369
10:¥2.6555
100:¥1.4464
1,000:¥1.08367
3,000:¥0.92999
9,000:¥0.87575
参考库存:60215
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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