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晶体管
MRF8P29300HR6参考图片

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MRF8P29300HR6

  • NXP / Freescale
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV8 300W 50V NI1230
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库存:45,686(价格仅供参考)
数量单价合计
150
¥2,665.8847
399882.705
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Vds-漏源极击穿电压
65 V
增益
13.3 dB
输出功率
320 W
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
NI-1230
封装
Reel
配置
Dual
工作频率
2.7 GHz to 2.9 GHz
系列
MRF8P29300H
商标
NXP / Freescale
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
150
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1.9 V
零件号别名
935319706128
单位重量
13.193 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 COMP TRANS W/BLT IN RES FLT LD 1.6x1.6mm
8,000:¥1.5707
参考库存:46437
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 55Vcbo 40Vceo 6.0Vebo 200mA 350mW
1:¥3.7629
10:¥2.712
100:¥1.5594
1,000:¥1.1413
3,000:¥0.9831
参考库存:46442
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN AMPL/SWITCH 120Vcbo 5.0Vebo
2,000:¥7.4241
4,000:¥7.1416
10,000:¥6.8704
参考库存:46447
晶体管
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2,500:¥1.2317
参考库存:53742
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 200MW 0.22K 10K
3,000:¥0.27685
9,000:¥0.23843
24,000:¥0.22261
45,000:¥0.20792
参考库存:46454
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

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