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VS-GA200TH60S

  • Vishay Semiconductors
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  • IGBT 模块 Output & SW Modules - DIAP IGBT
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数量单价合计
12
¥2,773.8449
33286.1388
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
IGBT 模块
配置
Half Bridge
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.9 V
在25 C的连续集电极电流
260 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
1.042 kW
封装 / 箱体
INT-A-PAK
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
商标
Vishay Semiconductors
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
12
子类别
IGBTs
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
DMT3006LFVQ-13
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V
3,000:¥2.3391
参考库存:47611
EFC2J022NUZTCG
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET NCH 12V 2.2 MOHM WLCSP10
5,000:¥1.6724
10,000:¥1.6046
25,000:¥1.5368
50,000:¥1.5142
参考库存:47616
MG12400D-BN2MM
Littelfuse
晶体管
IGBT 模块 1200V 400A Dual
60:¥1,287.9175
参考库存:47621
DDTD122JC-7-F
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 200MW 0.22K 4.7K
3,000:¥0.33787
9,000:¥0.29154
24,000:¥0.27685
45,000:¥0.25312
参考库存:47626
IKW50N65F5
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 晶体管 ENGINEERING SAMPLES TRENCHSTOP-5 IGBT
240:¥27.12
480:¥25.7414
720:¥23.052
参考库存:47631

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

    物料均可追溯

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    明码标价节省时间成本

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    4小时快速发货

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