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晶体管
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TGF2955

  • Qorvo
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-12GHz 40W 32V GaN P3dB @ 3GHz 46.5dBm
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Qorvo
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
发货限制：
此产品可能需要其他文件才能从美国出口。
RoHS
是
晶体管类型
HEMT
技术
GaN SiC
增益
19.2 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
32 V
Id-连续漏极电流
2.5 A
输出功率
46.4 dBm
最大漏极/栅极电压
100 V
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
41 W
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
Die
封装
Gel Pack
配置
Single
工作频率
15 GHz
工作温度范围
- 65 C to + 150 C
商标
Qorvo
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
Transistors
零件号别名
1112260
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
FDN361BN
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET 30V N-Ch LogicLevel PowerTrench MOSFET
1:¥3.616
10:¥3.0397
100:¥1.8532
1,000:¥1.4238
3,000:¥1.2204
参考库存:42564
FDPF320N06L
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET 60V NCHAN PwrTrench
1:¥12.3735
10:¥10.5316
100:¥8.4524
500:¥7.4015
参考库存:11011
2N5192G
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 4A 80V 40W NPN
1:¥5.1528
10:¥4.2149
100:¥2.7233
1,000:¥2.1809
参考库存:41708
FD600R17KE3_B2
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块 N-CH 1.7KV 950A
1:¥7,150.0411
参考库存:1690
AFT09MS007NT1
NXP / Freescale
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 LANDMOBILE 7W PLD1.5W
1:¥30.51
10:¥27.9675
25:¥25.4363
100:¥22.8938
1,000:¥17.1308
2,000:查看
参考库存:11492

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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