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晶体管
DMN2013UFDE-7参考图片

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DMN2013UFDE-7

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6 T&R 3K
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库存:13,784(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥3.7629
3.7629
10
¥3.1301
31.301
100
¥1.9097
190.97
1,000
¥1.4803
1480.3
3,000
¥1.2656
3796.8
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
U-DFN2020-E-6
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
10.5 A
Rds On-漏源导通电阻
8.4 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
500 mV
Vgs - 栅极-源极电压
8 V
Qg-栅极电荷
25.8 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
660 mW
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
DMN2013
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Diodes Incorporated
下降时间
20.8 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
24.5 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
66.4 ns
典型接通延迟时间
9.9 ns
单位重量
6.750 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) L/VT FST SWCH PW TRN NPN
1:¥7.9891
10:¥6.78
100:¥5.2093
500:¥4.5991
2,500:¥3.2205
10,000:查看
参考库存:7334
晶体管
MOSFET 800V N-Channel QFET
1:¥12.4526
10:¥10.5994
100:¥8.1473
500:¥7.2207
1,000:¥5.7065
参考库存:8886
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS GP TAPE-7
1:¥3.7629
10:¥2.6103
100:¥1.1978
1,000:¥0.92208
3,000:¥0.78422
参考库存:27283
晶体管
MOSFET N-Channel
1:¥2.6894
10:¥2.0453
100:¥1.10627
1,000:¥0.82942
3,000:¥0.71416
9,000:¥0.66896
参考库存:29120
晶体管
MOSFET 500V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)
1:¥8.1473
10:¥6.7122
100:¥5.1528
500:¥4.4296
1,000:¥3.4917
3,000:¥3.4917
参考库存:3702
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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  • 闪电发货

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    4小时快速发货

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