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晶体管
IPI60R125CP参考图片

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IPI60R125CP

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 600V 25A I2PAK-3 CoolMOS CP
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库存:6,829(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥44.7254
44.7254
10
¥37.9567
379.567
100
¥32.883
3288.3
250
¥31.1993
7799.825
500
¥28.0466
14023.3
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-262-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
25 A
Rds On-漏源导通电阻
125 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
208 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
CoolMOS
封装
Tube
高度
9.45 mm
长度
10.2 mm
系列
CoolMOS CE
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.5 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
5 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
50 ns
典型接通延迟时间
15 ns
零件号别名
IPI60R125CPXKSA1 IPI6R125CPXK SP000297355
单位重量
2.387 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Ch 30V,30V 40A,40A TISON-8
1:¥8.6106
10:¥7.345
100:¥5.6387
500:¥4.9833
1,000:¥3.9324
5,000:¥3.9324
参考库存:12098
晶体管
MOSFET CSD17578Q3A 30 V 8-VSONP
1:¥4.7686
10:¥3.9211
100:¥2.5312
1,000:¥2.034
2,500:¥1.8419
参考库存:187185
晶体管
MOSFET Small-signal MOSFET ID -5.4A, VDSS -12V
1:¥4.2262
10:¥3.1075
100:¥1.9549
1,000:¥1.469
3,000:¥1.2543
参考库存:25612
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 100W 50V ISM
1:¥691.0967
5:¥677.7288
10:¥655.287
25:¥627.5568
50:¥618.9462
参考库存:2649
晶体管
MOSFET N-Channel 55V AEC-Q101 Qualified
1:¥12.2944
10:¥11.4469
100:¥8.3733
500:¥7.119
2,000:¥5.0624
4,000:查看
参考库存:24871
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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    明码标价节省时间成本

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