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晶体管
SI9933CDY-T1-E3参考图片

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SI9933CDY-T1-E3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET -20V Vds 12V Vgs SO-8
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库存：27,507(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥4.8364
4.8364
10
¥3.9211
39.211
100
¥2.9832
298.32
500
¥2.4634
1231.7
1,000
¥1.9662
1966.2
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SO-8
通道数量
2 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
4 A
Rds On-漏源导通电阻
58 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
600 mV
Vgs - 栅极-源极电压
12 V
Qg-栅极电荷
26 nC
最小工作温度
- 50 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
3.1 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
SI9
晶体管类型
2 P-Channel
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
11 S
下降时间
13 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
50 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
29 ns
典型接通延迟时间
21 ns
零件号别名
SI9933CDY-E3
单位重量
187 mg
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
SSM6L35FU(TE85L,F)
Toshiba
晶体管
MOSFET N-Ch Sm Sig FET 0.1A -0.1A 20V 2-in1
1:¥3.5369
10:¥2.0566
100:¥0.96841
1,000:¥0.7458
3,000:¥0.61472
参考库存:23718
TK31N60W,S1VF
Toshiba
晶体管
MOSFET DTMOSIV 600V 88mOhm 30.8A 230W 3000pF
1:¥71.4612
10:¥65.088
25:¥58.6244
100:¥48.1041
参考库存:1695
RN2907FE,LF(CT
Toshiba
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 Bias Resistor Built-in transistor
1:¥2.2261
10:¥1.4238
100:¥0.5989
1,000:¥0.4068
4,000:¥0.30736
参考库存:41402
2SD1620-TD-E
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIP NPN 3A 10V
1:¥4.068
10:¥3.3335
100:¥2.034
1,000:¥1.5707
2,000:¥1.3334
参考库存:13269
APT5017BVRG
Microsemi
晶体管
MOSFET Power MOSFET - MOS5
1:¥129.6336
5:¥124.639
10:¥119.9495
25:¥110.1863
参考库存:1916

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    50万现货SKU

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