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晶体管
FS30R06W1E3参考图片

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FS30R06W1E3

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库存:3,757(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥223.6835
223.6835
5
¥221.3783
1106.8915
10
¥206.3154
2063.154
25
¥197.0946
4927.365
询价数量:
加入询价单立即询价
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Hex
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
2 V
在25 C的连续集电极电流
45 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
150 W
封装 / 箱体
EASY1B
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tray
高度
12 mm
长度
62.8 mm
宽度
33.8 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
24
子类别
IGBTs
零件号别名
FS30R06W1E3BOMA1 SP000223650
单位重量
24 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET T6 40V DPAK EXP
1:¥8.3733
10:¥7.1416
100:¥5.4918
500:¥4.8477
2,500:¥3.4013
10,000:查看
参考库存:16480
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Multi-Chip Trans General Purpose
1:¥3.3787
10:¥2.3617
100:¥1.08367
1,000:¥0.83733
3,000:¥0.71416
参考库存:72777
晶体管
IGBT 晶体管 Trench gate H series 600V 10A HiSpd
1:¥14.3736
10:¥12.2153
100:¥9.7632
500:¥8.5315
1,000:¥7.0964
参考库存:9494
晶体管
MOSFET N-channel 1050 V, 6 Ohm typ., 1.5 A MDmesh K5 Power MOSFET in DPAK package
1:¥14.2945
10:¥12.1362
100:¥9.6841
500:¥8.5315
2,500:¥6.5427
5,000:查看
参考库存:26791
晶体管
MOSFET N-CH 200V HEXFET MOSFET D-PAK
1:¥6.1472
3,000:¥6.1472
参考库存:19498
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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