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晶体管
IRG6B330UDPBF参考图片

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IRG6B330UDPBF

  • Infineon / IR
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库存:4,660(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥33.3463
33.3463
10
¥28.3517
283.517
100
¥24.5888
2458.88
250
¥23.278
5819.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-220-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
330 V
集电极—射极饱和电压
1.69 V
栅极/发射极最大电压
30 V
在25 C的连续集电极电流
70 A
Pd-功率耗散
160 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
70 A
商标
Infineon / IR
栅极—射极漏泄电流
+/- 100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
IGBTs
零件号别名
SP001532524
单位重量
6 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-CH 60 V 360 mA
1:¥2.6103
10:¥1.7402
100:¥0.72998
1,000:¥0.49946
3,000:¥0.39211
参考库存:796107
晶体管
MOSFET RECOMMENDED ALT 844-IRLR024
1:¥14.8256
10:¥13.447
100:¥10.8367
500:¥8.4524
1,000:¥6.9495
参考库存:16309
晶体管
MOSFET N-CH 200V HEXFET MOSFET D2-PA
1:¥20.2835
10:¥16.9048
100:¥13.0628
500:¥11.4469
1,000:¥9.5259
参考库存:17311
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 4-6GHz 5W 32Volt P3dB 38.4 dBm GaN
1:¥345.78
25:¥307.36
100:¥268.94
250:¥245.888
参考库存:2713
晶体管
JFET 25V 10mA
1:¥3.5369
10:¥2.6555
100:¥1.4464
1,000:¥1.08367
3,000:¥0.92999
9,000:¥0.87575
参考库存:60215
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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