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晶体管
IRF6668TRPBF参考图片

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IRF6668TRPBF

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET 80V 1 N-CH HEXFET 15mOhms 22nC
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库存：31,380(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥11.752
11.752
10
¥9.9892
99.892
100
¥7.9891
798.91
500
¥6.9495
3474.75
4,800
¥5.1754
24841.92
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DirectFET-MZ
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
80 V
Id-连续漏极电流
55 A
Rds On-漏源导通电阻
12 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
22 nC
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2.8 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
DirectFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.7 mm
长度
6.35 mm
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5.05 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
22 S
下降时间
23 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
13 ns
工厂包装数量
4800
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
7.1 ns
典型接通延迟时间
19 ns
零件号别名
SP001551178
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
PSMN3R0-60PS,127
Nexperia
晶体管
MOSFET N-ch 60V 3.0 mOhm MOSFET
5,000:¥8.6784
10,000:¥8.3733
参考库存:50513
SSM2212RZ-RL
Analog Devices
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Low Noise Matched Dual NPN
2,500:¥28.2048
参考库存:50518
TPN1110ENH,L1Q
Toshiba
晶体管
MOSFET UMOSVIII 200V 126m (VGS=10V) TSON-ADV
5,000:¥4.52
10,000:¥4.3505
参考库存:50523
DMP2021UTSQ-13
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
1:¥6.7574
10:¥5.6613
100:¥3.6499
1,000:¥2.9154
参考库存:20318
TDB6HK180N16RR_B48
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块
10:¥992.2304
30:¥971.3367
参考库存:50530

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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