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晶体管
PDTA123EM,315参考图片

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PDTA123EM,315

  • Nexperia
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 预偏置 TRANS RET TAPE-7
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库存:47,132(价格仅供参考)
数量单价合计
10,000
¥0.22261
2226.1
20,000
¥0.2147
4294
50,000
¥0.20001
10000.5
100,000
¥0.1695
16950
询价数量:
加入询价单立即询价
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Nexperia
产品种类
双极晶体管 - 预偏置
RoHS
配置
Single
晶体管极性
PNP
典型输入电阻器
2.2 kOhms
典型电阻器比率
1
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DFN-1006-3
直流集电极/Base Gain hfe Min
30
集电极—发射极最大电压 VCEO
- 50 V
集电极连续电流
100 mA
峰值直流集电极电流
100 mA
Pd-功率耗散
250 mW
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Reel
集电极—基极电压 VCBO
- 50 V
发射极 - 基极电压 VEBO
- 10 V
高度
0.47 mm
长度
1 mm
工作温度范围
- 65 C to + 150 C
宽度
0.5 mm
商标
Nexperia
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
资格
AEC-Q101
工厂包装数量
10000
子类别
Transistors
零件号别名
PDTA123EM T/R
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Gen Pur SS
1:¥4.1471
10:¥3.5369
100:¥2.4634
1,000:¥1.8306
参考库存:24900
晶体管
MOSFET 30V,4A,N-CHANNEL MOSFET,SOT-23
1:¥4.3053
10:¥3.1188
100:¥1.8419
1,000:¥0.80682
30,000:¥0.52206
48,000:查看
参考库存:75637
晶体管
MOSFET N-Chan 800V 4.1 Amp
1:¥21.9785
10:¥18.2834
100:¥14.1363
500:¥12.4526
1,000:¥10.2943
参考库存:6264
晶体管
MOSFET N-CH 100V HEXFET MOSFET
1:¥25.8205
10:¥21.357
100:¥17.5941
参考库存:16171
晶体管
MOSFET N-CH 200V HEXFET MOSFET
1:¥39.5726
10:¥32.7361
100:¥26.9731
参考库存:3803
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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    4小时快速发货

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