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晶体管
SIHG24N65E-E3参考图片

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SIHG24N65E-E3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 650V Vds 30V Vgs TO-247AC
  • 数据手册下载
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库存:47,412(价格仅供参考)
数量单价合计
500
¥28.0466
14023.3
1,000
¥23.6622
23662.2
2,500
¥22.4418
56104.5
询价数量:
加入询价单立即询价
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247AC-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
24 A
Rds On-漏源导通电阻
145 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
81 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
250 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
高度
20.82 mm
长度
15.87 mm
系列
E
宽度
5.31 mm
商标
Vishay / Siliconix
下降时间
69 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
84 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
70 ns
典型接通延迟时间
24 ns
单位重量
38 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET -30V Vds 20V Vgs TSOP-6
1:¥4.6895
10:¥4.0002
100:¥3.0171
500:¥2.2261
1,000:¥1.7402
3,000:¥1.469
参考库存:66000
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Composite Transistor SC-113DB/SOT-363
1:¥4.068
10:¥1.9775
100:¥1.356
500:¥1.11418
3,000:¥0.66896
9,000:查看
参考库存:44382
晶体管
MOSFET MOSFT 55V 84A 11mOhm 80nC
1:¥11.8311
10:¥10.0683
100:¥8.0682
500:¥7.0625
800:¥5.8534
参考库存:11004
晶体管
MOSFET 1 P-CH -55V HEXFET 175mOhms 12.7nC
1:¥6.5314
10:¥5.5935
100:¥4.3053
500:¥3.8081
1,000:¥2.9945
2,000:¥2.9945
参考库存:11676
晶体管
MOSFET N-Ch 900V 5.1A TO220-3 CoolMOS C3
1:¥11.9893
10:¥10.2152
100:¥8.1473
500:¥7.1642
1,000:¥5.9325
参考库存:6358
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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