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晶体管
BD13716STU参考图片

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BD13716STU

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库存:19,206(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥4.1471
4.1471
10
¥3.4013
34.013
100
¥2.0792
207.92
1,000
¥1.6046
1604.6
2,500
¥1.3673
3418.25
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-126-3
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
60 V
集电极—基极电压 VCBO
60 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
集电极—射极饱和电压
0.5 V
最大直流电集电极电流
1.5 A
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
BD137
直流电流增益 hFE 最大值
160
高度
1.5 mm
长度
8 mm
封装
Tube
宽度
3.25 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
集电极连续电流
1.5 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
40
Pd-功率耗散
12.5 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
1920
子类别
Transistors
零件号别名
BD13716STU_NL
单位重量
761 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2V09H400-04N/FM4F///REEL 13 Q2 DP
250:¥782.0052
参考库存:39604
晶体管
MOSFET Power MOSFET - MOS7
25:¥468.95
50:¥455.8872
100:¥443.5928
参考库存:39609
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 50V PNP 45Vceo 5.0Vebo 100mA 350mW
17,500:¥0.3842
28,000:¥0.3616
52,500:¥0.33787
101,500:¥0.29154
参考库存:39614
晶体管
MOSFET 650V N channel Mosfet
4,000:¥3.1979
5,000:¥3.0397
10,000:¥2.9719
25,000:¥2.9154
参考库存:39619
晶体管
JFET JFET N-Channel Reel of 1000
1,000:¥8.7575
2,000:¥7.8422
10,000:¥7.4919
参考库存:39624
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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    明码标价节省时间成本

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