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APTGT30TL601G

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数量单价合计
100
¥320.6488
32064.88
250
¥313.8914
78472.85
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
IGBT 模块
RoHS
是
产品
IGBT Silicon Modules
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.5 V
在25 C的连续集电极电流
50 A
栅极—射极漏泄电流
300 nA
Pd-功率耗散
90 W
封装 / 箱体
SP1-12
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 100 C
封装
Tube
商标
Microchip / Microsemi
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
1
子类别
IGBTs
单位重量
80 g
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
2N6233
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
100:¥292.5344
250:¥267.3241
参考库存:50084
2N333
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small-Signal BJT
1:¥508.1384
2:¥498.8498
5:¥493.1546
10:¥478.2499
参考库存:50089
IPB60R280P6ATMA1
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET LOW POWER_PRICE/PERFORM
1:¥16.5206
10:¥14.0572
100:¥11.2209
500:¥9.831
1,000:¥8.1473
参考库存:50094
DRC2144V0L
Panasonic
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRANS W/ BLT-IN RES GL WNG 2.9x2.8mm
3,000:¥0.47686
9,000:¥0.42262
24,000:¥0.40002
45,000:¥0.34578
参考库存:50099
2N4864
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
1:¥104.9657
10:¥95.4398
25:¥88.2078
50:¥83.4505
参考库存:50104

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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