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晶体管
TSM3N90CH C5G参考图片

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TSM3N90CH C5G

  • Taiwan Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET 900V 2.5A N Channel Power Mosfet
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数量单价合计
15,000
¥4.52
67800
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Taiwan Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-251-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
900 V
Id-连续漏极电流
2.5 A
Rds On-漏源导通电阻
4.3 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
17 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
94 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Taiwan Semiconductor
正向跨导 - 最小值
3 S
下降时间
31 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
25 ns
工厂包装数量
3750
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
63 ns
典型接通延迟时间
16 ns
单位重量
343.100 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 8A 80V 20W NPN
1:¥4.6104
10:¥3.7629
100:¥2.2939
1,000:¥1.7741
1,800:¥1.5142
参考库存:41622
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 40V NPN SM Trans 435mW 40V Vceo
1:¥2.8476
10:¥2.1244
100:¥1.1526
1,000:¥0.86784
2,500:¥0.7458
10,000:¥0.69947
参考库存:38124
晶体管
MOSFET 60V 270A 2.4 mOhm Auto Lgc Lvl MOSFET
1:¥36.9623
10:¥31.4253
100:¥27.2782
250:¥25.8205
800:¥19.5151
2,400:查看
参考库存:5566
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Epitaxial Sil
1:¥4.3053
10:¥3.5934
100:¥2.3165
1,000:¥1.8532
2,000:¥1.6611
参考库存:18808
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 45V 100mA HFE/800
1:¥1.7628
10:¥1.1639
100:¥0.48364
1,000:¥0.32996
参考库存:72490
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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