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晶体管
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IRG4BC20KDPBF

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 600V UltraFast 8-25kHz
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数量单价合计
1
¥21.357
21.357
10
¥18.1365
181.365
100
¥14.5205
1452.05
500
¥12.6786
6339.3
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-220-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
2.8 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
16 A
Pd-功率耗散
60 W
最小工作温度
- 55 C
封装
Tube
高度
8.77 mm
长度
10.54 mm
宽度
4.69 mm
商标
Infineon Technologies
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
IGBTs
零件号别名
SP001544718
单位重量
6 g
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
AFT09S220-02NR3
NXP / Freescale
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AFT09S220-02N/FM2F///REEL 13 Q2 DP
250:¥822.7304
参考库存:44335
NGTD8R65F2WP
ON Semiconductor
晶体管
IGBT 晶体管 650V/40A CC14 FAST RECT
1,112:¥3.1075
2,500:¥2.7685
10,000:¥2.6555
25,000:¥2.5764
参考库存:17330
SI3471DV-T1-GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 12V 6.8A 2.0W 31mohm @ 4.5V
3,000:¥2.6894
6,000:¥2.5538
9,000:¥2.4634
24,000:¥2.3843
参考库存:44342
PBSS9110D,115
Nexperia
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS BISS TAPE-7
3,000:¥0.66105
9,000:¥0.5989
24,000:¥0.56048
45,000:¥0.50737
99,000:¥0.48364
参考库存:44347
FF200R12KE3_B2
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块 N-CH 1.2KV 295A
10:¥859.0712
30:¥841.0138
100:¥798.9778
参考库存:44352

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    50万现货SKU

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