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FQPF11N50CF

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数量单价合计
1
¥19.2891
19.2891
10
¥16.3624
163.624
100
¥13.0628
1306.28
500
¥11.4469
5723.45
询价数量：
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220FP-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
500 V
Id-连续漏极电流
11 A
Rds On-漏源导通电阻
550 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
48 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
QFET
封装
Tube
高度
16.07 mm
长度
10.36 mm
系列
FQPF11N50CF
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.9 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
下降时间
75 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
70 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
120 ns
典型接通延迟时间
24 ns
零件号别名
FQPF11N50CF_NL
单位重量
2.270 g
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
APTGT30X60T3G
Microsemi
晶体管
IGBT 模块 Power Module - IGBT
100:¥397.9521
参考库存:37994
APTGT75H60T3G
Microsemi
晶体管
IGBT 模块 Power Module - IGBT
100:¥461.266
参考库存:37999
QPD2194SR
Qorvo
晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 300 W, 48 V, 1.8-2.2 GHz GaN RF Power Transistor
100:¥1,124.8585
参考库存:38004
CXTA44 TR
Central Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN High Volt Trans 450Vcbo 400Vceo 1.2W
2,000:¥3.0623
10,000:¥2.9606
25,000:¥2.8589
参考库存:902899
A3T21H400W23SR6
NXP Semiconductors
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A3T21H400W23S/CFM6F///REEL 13 Q2 NDP
150:¥829.9511
参考库存:38011

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