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晶体管
A3T21H400W23SR6参考图片

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A3T21H400W23SR6

  • NXP Semiconductors
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A3T21H400W23S/CFM6F///REEL 13 Q2 NDP
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数量单价合计
150
¥829.9511
124492.665
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
Dual N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
3.2 A
Vds-漏源极击穿电压
- 500 mV, 65 V
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
ACP-1230S-4
封装
Reel
工作频率
2110 MHz to 2200 MHz
系列
A3T21H400W23
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP Semiconductors
通道数量
2 Channel
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
150
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 6 V, 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
0.8 V, 1.4 V
零件号别名
935372908128
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BD136-16
STMicroelectronics
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Silicon Trnsistr
1:¥3.1527
10:¥2.6329
100:¥1.6159
1,000:¥1.243
参考库存:25995
SMMUN2233LT1G
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 SS BR XSTR NPN 50V
1:¥2.8476
10:¥1.8306
100:¥0.78422
1,000:¥0.60681
3,000:¥0.46104
参考库存:9197
APT8015JVFR
Microsemi
晶体管
MOSFET Power FREDFET - MOS5
1:¥644.6085
5:¥623.8617
10:¥604.3466
25:¥576.1418
参考库存:2889
SMPJ109
InterFET
晶体管
JFET N-Ch JFET -25V 50mA 360mW 3.27mW
329:¥21.5943
500:¥19.3682
1,000:¥16.3624
2,500:¥15.5262
参考库存:48725
PBSS4260QAZ
Nexperia
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 60 V, 2 A NPN low VCEsat (BISS) transi
1:¥3.2318
10:¥2.2713
100:¥1.04525
1,000:¥0.80682
5,000:¥0.68365
参考库存:27206

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    50万现货SKU

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