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晶体管
IPP65R190CFDXKSA2参考图片

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IPP65R190CFDXKSA2

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET 650V CoolMOS CFD2 is Infineon's second generation of market leading high voltage CoolMOS MOSFETs with integrated fast body diode. The CFD2 devices are the successor of 600V CFD with improved energy efficiency. The softer commutation behavior and ther
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库存：48,300(价格仅供参考)
数量单价合计
500
¥14.1363
7068.15
1,000
¥11.9102
11910.2
2,500
¥11.30
28250
5,000
¥10.9158
54579
询价数量：
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
17.5 A
Rds On-漏源导通电阻
190 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
68 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
151 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
CoolMOS
封装
Tube
系列
CFD2
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Infineon Technologies
下降时间
6.4 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
8.4 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
53.2 ns
典型接通延迟时间
12 ns
零件号别名
IPP65R190CFD
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
CZTA42 TR
Central Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN High Volt Trans 300Vcbo 300Vceo 6.0
1:¥11.3678
10:¥9.379
100:¥7.7631
500:¥5.9777
1,000:¥5.4014
参考库存:13371
MMBTA42LT1G
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 500mA 300V NPN
1:¥1.3108
10:¥1.1639
100:¥0.41471
1,000:¥0.27685
3,000:¥0.2147
参考库存:1091898
IRFI9620GPBF
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET P-CH -200V HEXFET MOSFET
1:¥21.8994
10:¥19.8202
100:¥15.9104
500:¥12.3735
参考库存:8915
STGW60V60F
STMicroelectronics
晶体管
IGBT 晶体管 600V 60A Trench Gate 1.8V Vce IGBT
1:¥40.6461
10:¥34.578
100:¥29.9676
250:¥28.4308
参考库存:7202
DMN2990UFA-7B
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V X2-DFN0806-3 T&R 10K
1:¥3.6838
10:¥2.8589
100:¥1.5481
1,000:¥1.1639
2,500:¥0.99892
10,000:¥0.9379
参考库存:60644

  • 海量现货

    50万现货SKU

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