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VS-GB75TP120N

  • Vishay Semiconductors
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  • IGBT 模块 Output & SW Modules - IAP IGBT
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
IGBT 模块
配置
Half Bridge
集电极—发射极最大电压 VCEO
1.2 kV
集电极—射极饱和电压
1.9 V
在25 C的连续集电极电流
150 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
543 W
封装 / 箱体
INT-A-PAK
最大工作温度
+ 150 C
商标
Vishay Semiconductors
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
24
子类别
IGBTs
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
IPB107N20NAATMA1
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET Mosfet, DCtoDC Nchannel 200V
1,000:¥32.1937
2,000:¥30.962
参考库存:39478
APTGT50H60RT3G
Microsemi
晶体管
IGBT 模块 Power Module - IGBT
100:¥442.9826
参考库存:39483
SQJ850EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET RECOMMENDED ALT 78-SQJ464EP-T1_GE3
3,000:¥5.7743
参考库存:39488
TK16N60W,S1VF
Toshiba
晶体管
MOSFET DTMOSIV 600V 190mOhm 15.8A 130W 1350pF
暂无价格
参考库存:39493
TSM60NB600CH C5G
Taiwan Semiconductor
晶体管
MOSFET 600V, 7A, 0,6OHMS N channel Mosfet
15,000:¥4.3844
参考库存:39498

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    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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    明码标价节省时间成本

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