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晶体管
SIHB12N60ET1-GE3参考图片

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SIHB12N60ET1-GE3

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库存：48,534(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥16.0573
16.0573
10
¥13.2888
132.888
100
¥10.2943
1029.43
500
¥9.0626
4531.3
1,000
¥7.4693
7469.3
询价数量：
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
12 A
Rds On-漏源导通电阻
380 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
29 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
147 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
高度
4.83 mm
长度
10.67 mm
系列
E
宽度
9.65 mm
商标
Vishay / Siliconix
下降时间
19 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
19 ns
工厂包装数量
800
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
35 ns
典型接通延迟时间
14 ns
单位重量
2.200 g
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
SIHB16N50C-E3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET N-Channel 500V
1:¥49.946
10:¥41.4145
100:¥34.1147
250:¥33.0412
500:¥29.6625
1,000:¥29.6625
参考库存:8747
IRFR420TRPBF
Infineon / IR
晶体管
MOSFET
1:¥11.30
10:¥9.6841
100:¥7.4354
500:¥6.5766
参考库存:26974
IPP77N06S212AKSA2
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET N-CHANNEL_55/60V
1:¥12.2153
10:¥10.4525
100:¥7.9891
500:¥7.0512
参考库存:8754
DMC3016LDV-13
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS 31V-40V
1:¥4.6895
10:¥3.8759
100:¥2.4973
1,000:¥2.0001
3,000:¥2.0001
参考库存:33756
NX3008NBKSH
Nexperia
晶体管
MOSFET NX3008NBKS/SC-88/REEL 7" Q3/T4
1:¥3.6838
10:¥2.3956
100:¥1.02943
1,000:¥0.791
3,000:¥0.5989
参考库存:44533

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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