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晶体管
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MHT1108NT1

  • NXP Semiconductors
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MHT1108N/HVSON16///REEL 7 Q1 DP
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1
¥89.9819
89.9819
10
¥82.7612
827.612
25
¥79.3034
1982.585
100
¥69.8453
6984.53
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
143 mA
Vds-漏源极击穿电压
- 500 mV, 65 V
增益
18.1 dB
输出功率
12.5 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DFN-16
封装
Cut Tape
封装
Reel
工作频率
2450 MHz
系列
MHT1108N
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP Semiconductors
Pd-功率耗散
32.9 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 6 V, 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
0.8 V
零件号别名
935337042515
单位重量
0.001 mg
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
2SC5658T2LQ
ROHM Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 50V 0.15A
1:¥3.5369
10:¥2.2713
100:¥0.97632
1,000:¥0.75258
8,000:¥0.50737
24,000:查看
参考库存:69912
2N4092
InterFET
晶体管
JFET JFET N-Channel -40V 10mA 300mW 1.7mW
1:¥66.6926
10:¥54.7146
100:¥45.4147
500:¥41.3354
参考库存:4394
AUIRG4BC30USTRL
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 晶体管 600V AUTO ULTRAFAST 8-60KHZ DSCRETE IGBT
1:¥25.6623
10:¥21.8203
100:¥18.9049
250:¥17.8992
800:¥13.6052
2,400:查看
参考库存:7806
2N4117
InterFET
晶体管
JFET N-Channel Silicon JFET-Transistor
1:¥61.698
10:¥50.5562
100:¥41.9569
500:¥38.2618
参考库存:4398
ZXTN620MATA
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIPOLAR TRANSISTOR NPN
1:¥4.0002
10:¥3.3335
100:¥2.034
1,000:¥1.5707
3,000:¥1.3334
参考库存:43180

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    50万现货SKU

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