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晶体管
RFM08U9X(TE12L,Q)参考图片

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RFM08U9X(TE12L,Q)

  • Toshiba
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Radio-Freq PwrMOSFET N-Ch 5A 20W 36V
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数量单价合计
1,000
¥31.1993
31199.3
2,000
¥30.0467
60093.4
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
5 A
Vds-漏源极击穿电压
36 V
增益
11.7 dB
输出功率
7.5 W
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PW-X-4
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
配置
Single
工作频率
520 MHz
系列
RFM08
类型
RF Power MOSFET
商标
Toshiba
Pd-功率耗散
20 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
5 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1.5 V
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
NCR100W-12MX
WeEn Semiconductors
晶体管
SCR Silicon Controlled Rectifier
1,000:¥0.94468
10,000:¥0.94468
25,000:¥0.86784
50,000:¥0.82942
100,000:¥0.78422
参考库存:41423
FDMS4D4N08C
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET PTNG 80/20V Nch Power Trench MOSFET
1:¥20.6677
10:¥17.515
100:¥15.2098
250:¥14.4414
3,000:¥10.3734
6,000:查看
参考库存:41428
DMG4932LSD-13
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET N-Ch MOSFET 30V 60A IDM 1.42W PD
暂无价格
参考库存:41433
DMP3068LVT-7
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V
1:¥2.9945
10:¥2.0905
100:¥0.9605
1,000:¥0.73789
3,000:¥0.63054
参考库存:41438
DMN65D8LDWQ-13
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET 60V N-Ch Dual Enh 20Vgss 300mW Pd
10,000:¥0.50737
20,000:¥0.47686
参考库存:41443

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    50万现货SKU

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