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晶体管
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ZXMN6A09KQTC

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库存：50,177(价格仅供参考)
数量单价合计
2,500
¥5.5709
13927.25
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
11.8 A
Rds On-漏源导通电阻
40 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
29 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
10.1 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Reel
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Diodes Incorporated
正向跨导 - 最小值
15 S
下降时间
14.5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
4.6 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
32.5 ns
典型接通延迟时间
4.8 ns
单位重量
330 mg
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BCP53-16,115
Nexperia
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS MED PWR TAPE-7
1:¥3.0736
10:¥2.1809
100:¥1.00683
1,000:¥0.7684
2,000:¥0.66105
参考库存:172349
IPA030N10N3 G
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET N-Ch 100V 79A TO220FP-3 OptiMOS 3
1:¥40.9512
10:¥34.804
100:¥30.1936
250:¥28.6568
500:¥25.6623
参考库存:5051
PMBTA06,215
Nexperia
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN GP 500MA 80V
1:¥1.5368
10:¥1.3673
100:¥0.48364
1,000:¥0.32318
3,000:¥0.24634
参考库存:503123
SSM6N55NU,LF
Toshiba
晶体管
MOSFET 2N-Ch U-MOS VI FET ID 4A 30VDSS 4.5GD
1:¥3.9211
10:¥2.5877
100:¥1.4464
1,000:¥1.05316
3,000:¥0.90626
参考库存:32905
STGWA40H65DFB
STMicroelectronics
晶体管
IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 40 A high speed
1:¥31.1993
10:¥26.5098
100:¥22.9729
250:¥21.8203
参考库存:8642

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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