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晶体管
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IPW60R125CFD7XKSA1

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数量单价合计
1
¥33.9678
33.9678
10
¥28.815
288.15
100
¥24.973
2497.3
250
¥23.7413
5935.325
500
¥21.2892
10644.6
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
18 A
Rds On-漏源导通电阻
125 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
36 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
92 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
系列
CoolMOS CFD7
商标
Infineon Technologies
下降时间
6 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
14 ns
工厂包装数量
240
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
66 ns
典型接通延迟时间
31 ns
零件号别名
IPW60R125CFD7 SP001686040
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
RN1111MFV(TPL3)
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暂无价格
参考库存:56519
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100:¥45.1096
参考库存:9787
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3,000:¥5.2432
6,000:¥4.859
参考库存:56531
2N6249T1
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
100:¥1,650.9865
参考库存:56536

  • 海量现货

    50万现货SKU

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    保证原装正品

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