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晶体管
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IPG16N10S4L61AATMA1

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数量单价合计
1
¥6.9947
6.9947
10
¥6.0116
60.116
100
¥4.6217
462.17
500
¥4.0906
2045.3
5,000
¥2.8589
14294.5
询价数量：
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TDSON-8
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
16 A
Rds On-漏源导通电阻
78 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.1 V
Vgs - 栅极-源极电压
16 V
Qg-栅极电荷
11 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
29 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
Reel
高度
1.27 mm
长度
5.9 mm
晶体管类型
2 N-Channel
宽度
5.15 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
4 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
1 ns
工厂包装数量
5000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
5 ns
典型接通延迟时间
2 ns
零件号别名
IPG16N10S4L-61A SP001102932
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
ZXTN4002ZTA
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Pwr Mid Perf Trans SOT89 T&R 1K
1:¥3.2996
10:¥2.7798
100:¥1.695
1,000:¥1.3108
2,000:¥1.11418
参考库存:7154
APT35GA90B
Microsemi
晶体管
IGBT 晶体管 Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 8 - Single
1:¥48.025
10:¥43.1886
25:¥39.3466
100:¥35.5046
参考库存:3291
MMUN2111LT3G
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 100mA 50V BRT PNP
1:¥0.84524
10:¥0.82264
100:¥0.29154
1,000:¥0.1921
10,000:¥0.13108
20,000:查看
参考库存:80523
PBSS303PD,115
Nexperia
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS BISS TAPE-7
1:¥3.616
10:¥2.7233
100:¥1.4803
1,000:¥1.10627
3,000:¥0.95259
参考库存:13610
BSR802NL6327HTSA1
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET N-Ch 20V 3.7A SOT-23-3
1:¥3.4578
10:¥2.8702
100:¥1.7515
1,000:¥1.356
3,000:¥1.1639
参考库存:56317

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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