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晶体管
IPB64N25S320ATMA1参考图片

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IPB64N25S320ATMA1

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库存:9,087(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥49.0194
49.0194
10
¥41.6518
416.518
100
¥36.1148
3611.48
250
¥34.2729
8568.225
1,000
¥25.8996
25899.6
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
250 V
Id-连续漏极电流
64 A
Rds On-漏源导通电阻
17.5 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
89 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
300 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
4.4 mm
长度
10 mm
系列
XPB64N25
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
9.25 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
12 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
20 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
45 ns
典型接通延迟时间
18 ns
零件号别名
IPB64N25S3-20 IPB64N25S32XT SP000876596
单位重量
2 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET THERMAL. ENHANCED COMP. 200V N & P CH. MOSFET PAIR
1:¥11.30
10:¥11.1418
25:¥9.379
100:¥8.5315
3,300:¥8.5315
参考库存:6467
晶体管
MOSFET 100V Vds 20V Vgs TO-220 FULLPAK
1:¥12.5204
10:¥10.3734
100:¥8.0682
500:¥7.0286
参考库存:43647
晶体管
MOSFET N-Ch 200V 84A TO220-3
1:¥46.6464
10:¥39.6517
100:¥34.352
250:¥32.5779
参考库存:24039
晶体管
MOSFET N-Ch 60V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3
1:¥31.0411
10:¥26.3516
100:¥22.826
250:¥21.6734
1,000:¥16.3624
2,000:查看
参考库存:12671
晶体管
IGBT 模块 1200V 150A FL BRIDGE
1:¥1,470.7176
5:¥1,435.3712
10:¥1,399.7197
25:¥1,380.0464
参考库存:4218
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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