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晶体管
BSP89H6327XTSA1参考图片

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BSP89H6327XTSA1

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET SIPMOS Sm-Signal 240V 6Ohm 350mA
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库存:18,515(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥4.2262
4.2262
10
¥3.5143
35.143
100
¥2.147
214.7
1,000
¥1.6611
1661.1
2,000
¥1.4125
2825
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-223-4
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
240 V
Id-连续漏极电流
350 mA
Rds On-漏源导通电阻
4.2 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
800 mV
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
6.4 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1.8 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.6 mm
长度
6.5 mm
系列
BSP89
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
3.5 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
180 mS
下降时间
18.4 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
3.5 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
15.9 ns
典型接通延迟时间
4 ns
零件号别名
BSP89 H6327 SP001058794
单位重量
112 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET Automotive-grade N-channel 600 V, 0.085 Ohm typ., 34 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-220 package
1:¥38.7251
10:¥32.883
100:¥28.5099
250:¥27.0522
参考库存:5143
晶体管
MOSFET 40V Vds 160A Id AEC-Q101 Qualified
1:¥20.6677
10:¥17.1308
100:¥13.2888
500:¥11.6051
1,000:¥9.605
2,000:¥9.605
参考库存:13010
晶体管
MOSFET KTT pkg spin from CSD19506KCS
1:¥34.4198
10:¥30.962
100:¥25.3572
250:¥23.7413
500:¥21.5943
参考库存:8327
晶体管
MOSFET 60V Vds TO-220AB AEC-Q101 Qualified
1:¥22.3627
10:¥18.5998
100:¥14.4414
500:¥12.5995
参考库存:5664
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V
1:¥6.4523
10:¥5.3675
100:¥3.4578
1,000:¥2.7685
3,000:¥2.7685
参考库存:18331
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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