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晶体管
IPW65R190CFD参考图片

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IPW65R190CFD

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 650V 17.5A TO247-3 CoolMOS CFD2
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库存:6,409(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥25.7414
25.7414
10
¥21.8203
218.203
100
¥18.9049
1890.49
250
¥17.9783
4494.575
500
¥16.1364
8068.2
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
17.5 A
Rds On-漏源导通电阻
190 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
68 nC
Pd-功率耗散
151 W
配置
Single
商标名
CoolMOS
封装
Tube
高度
21.1 mm
长度
16.13 mm
系列
CoolMOS CFD2
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5.21 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
6.4 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
8.4 ns
工厂包装数量
240
子类别
MOSFETs
零件号别名
IPW65R190CFDFKSA1 IPW65R19CFDXK SP000905376
单位重量
38 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS
1:¥8.1473
10:¥6.9947
100:¥5.3675
500:¥4.746
1,000:¥3.7516
5,000:¥3.7516
参考库存:49513
晶体管
MOSFET MOSFT 60V 99A 6.8mOhm 33nC Log Lvl
1:¥11.752
10:¥9.9892
100:¥7.9891
500:¥7.0173
1,000:¥5.8082
3,000:¥5.8082
参考库存:22630
晶体管
达林顿晶体管 PNP Epitaxial Sil Darl
1:¥6.6896
10:¥5.5483
100:¥3.5821
1,000:¥2.8702
参考库存:37317
晶体管
MOSFET NFET DPAK 100V 23A 56MOHM
1:¥8.2942
10:¥7.0512
100:¥5.4127
500:¥4.7912
2,500:¥3.3448
10,000:查看
参考库存:12049
晶体管
MOSFET MOSFT 100V 9.5A 200mOhm 16.7nC
1:¥8.6106
10:¥7.4015
100:¥5.6839
500:¥5.0285
800:¥3.9663
参考库存:44916
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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