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晶体管
STP7NM80参考图片

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STP7NM80

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch, 800V-0.95ohms Mdmesh 6.5A
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库存:7,096(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥28.3517
28.3517
10
¥24.1255
241.255
100
¥20.905
2090.5
250
¥19.8202
4955.05
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
800 V
Id-连续漏极电流
6.5 A
Rds On-漏源导通电阻
1.05 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
18 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
90 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
MDmesh
封装
Tube
高度
9.15 mm
长度
10.4 mm
系列
STP7NM80
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.6 mm
商标
STMicroelectronics
正向跨导 - 最小值
4 S
下降时间
10 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
8 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
35 ns
典型接通延迟时间
20 ns
单位重量
330 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
1:¥11.8311
10:¥9.7632
100:¥7.4806
500:¥6.4297
1,000:¥6.0907
3,000:¥5.6387
参考库存:182530
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 80Vcbo 65Vceo 5.0Vebo 100mA
1:¥3.2996
10:¥2.3843
100:¥1.3673
1,000:¥0.99892
3,000:¥0.86106
参考库存:7812
晶体管
MOSFET N-Ch Enh Mode FET 60V 20Vgss 1.2A
1:¥2.3052
10:¥1.5933
100:¥0.66896
1,000:¥0.45313
10,000:¥0.30736
20,000:查看
参考库存:48869
晶体管
MOSFET Nch+Nch 60V Vds 5A 0.055Rds(on) 8Qg
1:¥7.458
10:¥6.3054
100:¥4.8364
500:¥4.2827
1,000:¥3.3787
2,500:¥2.9945
参考库存:28576
晶体管
MOSFET P Ch -60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
1:¥10.5316
10:¥9.379
100:¥7.6727
500:¥6.0116
3,000:¥4.1923
6,000:查看
参考库存:489178
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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