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晶体管
STGWA19NC60HD参考图片

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STGWA19NC60HD

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 19A 600V Very Fast IGBT Ultrafast Diode
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数量单价合计
1
¥21.357
21.357
10
¥18.2156
182.156
100
¥15.7522
1575.22
250
¥14.9838
3745.95
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.8 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
52 A
Pd-功率耗散
208 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
STGWA19NC60HD
封装
Tube
商标
STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流
+/- 100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
600
子类别
IGBTs
单位重量
6.500 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V 8V-24V SOT323 T&R 3K
暂无价格
参考库存:49117
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 NPN DIGITAL TRANSISTOR (B
1:¥1.1526
10:¥0.99101
100:¥0.35369
1,000:¥0.23843
3,000:¥0.17628
参考库存:153438
晶体管
MOSFET Power MOSFET - CoolMOS
1:¥167.5903
5:¥160.0532
10:¥155.0586
25:¥142.4591
参考库存:49124
晶体管
MOSFET 30V Vds 8V Vgs MICRO FOOT 0.8 x 0.8
1:¥3.5369
10:¥2.7007
100:¥2.0001
500:¥1.6498
3,000:¥1.1639
6,000:查看
参考库存:28360
晶体管
MOSFET N-Channel
1:¥3.2318
10:¥2.2939
100:¥1.05316
1,000:¥0.80682
3,000:¥0.69156
参考库存:120487
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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    明码标价节省时间成本

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