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晶体管
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BD681

  • STMicroelectronics
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  • 达林顿晶体管 NPN Power Darlington
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数量单价合计
1
¥6.7574
6.7574
10
¥5.6613
56.613
100
¥3.6612
366.12
1,000
¥2.9267
2926.7
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
达林顿晶体管
RoHS
是
配置
Single
晶体管极性
NPN
集电极—发射极最大电压 VCEO
100 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
集电极—基极电压 VCBO
100 V
最大直流电集电极电流
4 A
最大集电极截止电流
200 uA
Pd-功率耗散
40 W
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
SOT-32
最大工作温度
+ 150 C
系列
BD681
高度
10.8 mm
长度
7.8 mm
宽度
2.7 mm
商标
STMicroelectronics
集电极连续电流
4 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
750
产品类型
Darlington Transistors
工厂包装数量
2000
子类别
Transistors
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
DMN10H170SVTQ-13
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS
10,000:¥1.4577
参考库存:28939
PEMB30,115
Nexperia
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRNS DOUBL RET TAPE7
4,000:¥0.46104
8,000:¥0.39211
24,000:¥0.36838
48,000:¥0.34578
100,000:¥0.29945
参考库存:28944
ZXTP01500BGTC
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 500V PNP HiPerf Transistor
1:¥3.7629
10:¥3.1301
100:¥1.9097
1,000:¥1.4803
4,000:¥1.2656
参考库存:25504
RS1E130GNTB
ROHM Semiconductor
晶体管
MOSFET 4.5V Drive Nch MOSFET
1:¥3.9211
10:¥3.2996
100:¥2.0114
1,000:¥1.5594
2,500:¥1.3334
参考库存:17026
STB25NM60ND
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET N-channel 600V, 21A FDMesh II
1:¥53.7089
10:¥48.5674
25:¥46.2622
100:¥40.1828
1,000:¥30.51
参考库存:15528

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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