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晶体管
STB14NM50N参考图片

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STB14NM50N

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 500V 0.246 ohm 12 A MDmesh II
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库存:5,475(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥24.3628
24.3628
10
¥20.7468
207.468
100
¥17.9783
1797.83
250
¥17.063
4265.75
1,000
¥12.9046
12904.6
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
500 V
Id-连续漏极电流
12 A
Rds On-漏源导通电阻
900 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
2 V
Qg-栅极电荷
42 nC
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
90 W
配置
Single
商标名
MDmesh
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
STB14NM50N
晶体管类型
1 N-Channel
类型
MDmesh II Power MOSFET
商标
STMicroelectronics
下降时间
32 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
9 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
12 ns
典型接通延迟时间
15 ns
单位重量
4 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET P-Chan -30V -2.9A
1:¥5.9212
10:¥4.9607
100:¥3.1979
1,000:¥2.5538
3,000:¥2.1583
参考库存:17811
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Medium Power
1:¥3.2996
10:¥2.5538
100:¥1.3786
1,000:¥1.03734
3,000:¥0.89948
9,000:¥0.83733
参考库存:27103
晶体管
IGBT 模块
1:¥460.814
5:¥450.4406
10:¥432.8352
25:¥418.9362
参考库存:2890
晶体管
MOSFET HIGH POWER_PRC/PRFRM
1:¥20.2835
10:¥17.2099
100:¥13.7521
500:¥12.0684
1,000:¥9.9892
参考库存:10317
晶体管
MOSFET HIGH POWER_NEW
1:¥33.6514
10:¥28.589
100:¥24.747
250:¥23.5153
500:¥21.0519
1,000:¥17.7523
参考库存:7689
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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