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晶体管
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MMBTH11

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库存:98,201(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥2.2261
2.2261
10
¥1.5255
15.255
100
¥0.63732
63.732
1,000
¥0.43844
438.44
3,000
¥0.33787
1013.61
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
系列
MMBTH11
晶体管类型
Bipolar
技术
Si
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
60
集电极—发射极最大电压 VCEO
25 V
发射极 - 基极电压 VEBO
3 V
集电极连续电流
0.05 A
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
配置
Single
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
集电极—基极电压 VCBO
30 V
直流电流增益 hFE 最大值
60 at 4 mA at 10 V
高度
0.93 mm
长度
2.92 mm
工作频率
650 MHz
类型
RF Bipolar Small Signal
宽度
1.3 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
增益带宽产品fT
650 MHz (Min)
最大直流电集电极电流
0.05 A
Pd-功率耗散
225 mW
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
单位重量
8 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
达林顿晶体管 Power BJT
100:¥413.0941
参考库存:37596
晶体管
MOSFET RECOMMENDED ALT 78-SQJ411EP-T1_GE3
1:¥14.2945
10:¥11.8311
100:¥9.2208
500:¥8.0682
1,000:¥6.6783
3,000:¥6.5879
参考库存:37601
晶体管
MOSFET -100V Vds +/-20V Vgs Rds(on) 0.20 @-10V
1,000:¥14.6787
3,000:¥13.9103
5,000:¥13.447
参考库存:37606
晶体管
MOSFET 20V Vds 20V Vgs PolarPAK
3,000:¥9.9101
6,000:¥9.5259
9,000:¥9.1417
参考库存:37611
晶体管
IGBT 模块 Power Module - IGBT
100:¥789.6892
参考库存:37616
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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