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晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Diodes Incorporated
产品种类	达林顿晶体管
RoHS	是
配置	Single
晶体管极性	PNP
集电极—发射极最大电压 VCEO	120 V
发射极 - 基极电压 VEBO	10 V
集电极—基极电压 VCBO	140 V
最大直流电集电极电流	1 A
最大集电极截止电流	0.1 uA
Pd-功率耗散	1 W
安装风格	Through Hole
封装 / 箱体	TO-92
最小工作温度	- 55 C
最大工作温度	+ 150 C
系列	ZTX705
封装	Bulk
直流电流增益 hFE 最大值	3000
高度	4.01 mm
长度	4.77 mm
宽度	2.41 mm
商标	Diodes Incorporated
集电极连续电流	- 1 A
直流集电极/Base Gain hfe Min	3000 at 10 mA at 5 V, 3000 at 100 mA at 5 V, 3000 at 1 A at 5 V, 2000 at 2 A at 5 V
产品类型	Darlington Transistors
工厂包装数量	2000
子类别	Transistors
单位重量	453.600 mg

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
CPH3212-TL-E	ON Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIP NPN 5A 50V	1:¥4.6104 10:¥3.8194 100:¥2.3278 1,000:¥1.7967 3,000:¥1.5368	参考库存:31838
IRF624SPBF	Vishay / Siliconix	晶体管	PDF数据手册	MOSFET N-Chan 250V 4.4 Amp	1:¥16.2946 10:¥13.5261 100:¥10.4525 500:¥9.2208	参考库存:9485
KSH122TM	ON Semiconductor / Fairchild	晶体管	PDF数据手册	达林顿晶体管 NPN Sil Darl Trans	1:¥6.9156 10:¥5.8082 100:¥3.7403 1,000:¥2.9945 2,500:¥2.5312	参考库存:12807
MJE15031	Central Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP 120Vcbo 120Vceo 5.0Vebo 8.0A 2.0W	1:¥13.2888 10:¥11.8311 100:¥9.4468 500:¥8.2942	参考库存:6344
MIC94051YM4-TR	Microchip Technology / Micrel	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 1.8V-rated reverse-blocking PFET	1:¥3.7629 10:¥3.7403 25:¥3.164 100:¥2.8476 3,000:¥2.8476	参考库存:17056