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晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Diodes Incorporated
产品种类	达林顿晶体管
RoHS	是
配置	Single
晶体管极性	PNP
集电极—发射极最大电压 VCEO	120 V
发射极 - 基极电压 VEBO	10 V
集电极—基极电压 VCBO	140 V
最大直流电集电极电流	1 A
最大集电极截止电流	0.1 uA
Pd-功率耗散	1 W
安装风格	Through Hole
封装 / 箱体	TO-92
最小工作温度	- 55 C
最大工作温度	+ 150 C
系列	ZTX705
封装	Bulk
直流电流增益 hFE 最大值	3000
高度	4.01 mm
长度	4.77 mm
宽度	2.41 mm
商标	Diodes Incorporated
集电极连续电流	- 1 A
直流集电极/Base Gain hfe Min	3000 at 10 mA at 5 V, 3000 at 100 mA at 5 V, 3000 at 1 A at 5 V, 2000 at 2 A at 5 V
产品类型	Darlington Transistors
工厂包装数量	2000
子类别	Transistors
单位重量	453.600 mg

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
SUM110P08-11L-E3	Vishay / Siliconix	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 80V 110A 375W	1:¥35.9566 10:¥29.8094 100:¥24.5097 250:¥23.7413 800:¥17.9783 2,400:查看	参考库存:57034
RHU002N06T106	ROHM Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	MOSFET N-CH 60V 200MA SOT-323	1:¥2.7685 10:¥1.7628 100:¥0.76049 1,000:¥0.58421 3,000:¥0.44522	参考库存:14106
SIR626DP-T1-RE3	Vishay / Siliconix	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8	1:¥14.4414 10:¥11.9893 100:¥9.2999 500:¥8.1473 1,000:¥6.7687 3,000:¥6.7687	参考库存:47018
FS15R06VE3_B2	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	IGBT 模块 IGBT-MODULE	1:¥155.2959 10:¥142.7642 25:¥136.8543 100:¥120.5597	参考库存:2775
FDD4243-F085P	ON Semiconductor / Fairchild	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 40V P-Channel Power Trench Mosfet	1:¥6.3732 10:¥5.4466 100:¥4.1923 500:¥3.7064 2,500:¥2.5877 10,000:查看	参考库存:9317