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晶体管
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2N3791

  • Central Semiconductor
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP GP Power
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数量单价合计
1
¥46.0249
46.0249
10
¥45.6407
456.407
25
¥41.5727
1039.3175
100
¥37.4934
3749.34
250
¥34.4198
8604.95
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Central Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-3-2
晶体管极性
PNP
集电极—发射极最大电压 VCEO
60 V
集电极—基极电压 VCBO
60 V
发射极 - 基极电压 VEBO
7 V
集电极—射极饱和电压
1 V
最大直流电集电极电流
10 A
增益带宽产品fT
4 MHz
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 200 C
系列
2N3791
封装
Tube
商标
Central Semiconductor
集电极连续电流
10 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
50 at 3 A, 2 V
Pd-功率耗散
150 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
20
子类别
Transistors
零件号别名
2N3791 PBFREE
单位重量
6.401 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 900V 7A N Channel Power Mosfet
4,000:¥11.0627
5,000:¥10.6785
参考库存:42159
晶体管
MOSFET 40V 1 N-CH HEXFET 5.5mOhms 59nC
3,000:¥5.8534
参考库存:42164
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP 50V 3A
2,500:¥1.9436
10,000:¥1.8758
25,000:¥1.7967
50,000:¥1.7741
参考库存:42169
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Power Amplifier
500:¥500.5335
参考库存:42174
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small Signal Transistor NPN
1,400:¥4.2601
2,800:¥3.7855
10,150:¥3.6386
25,200:¥3.5256
参考库存:256094
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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