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晶体管
NTHL082N65S3F参考图片

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NTHL082N65S3F

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET SUPERFET3 650V TO247 N-CHANNEL
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库存：4,256(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥42.3411
42.3411
10
¥35.9566
359.566
100
¥31.1993
3119.93
250
¥29.5834
7395.85
询价数量：
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
40 A
Rds On-漏源导通电阻
70 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
81 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
313 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
SuperFET III
封装
Tube
系列
SuperFET3
晶体管类型
1 N-Channel
商标
ON Semiconductor
正向跨导 - 最小值
24 S
下降时间
5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
27 ns
工厂包装数量
450
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
79 ns
典型接通延迟时间
27 ns
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BC847PNH6327XTSA1
Infineon Technologies
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) AF TRANSISTOR
1:¥2.6103
10:¥1.808
100:¥0.76049
1,000:¥0.51528
3,000:¥0.4068
参考库存:170747
SQ1922EEH-T1_GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 20V Vds Dual N-Ch AEC-Q101 Qualified
1:¥3.9211
10:¥2.9606
100:¥2.1922
500:¥1.808
3,000:¥1.2769
6,000:查看
参考库存:1186264
BSM400C12P3G202
ROHM Semiconductor
晶体管
分立半导体模块 1200V Vdss; 358A ID SiC Mod; SICSTD02
1:¥5,859.05
5:¥5,765.3843
参考库存:4286
NVMFS5C450NWFT1G
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET T6-D3F 40V NFET
1,500:¥3.0736
9,000:¥2.9606
24,000:¥2.8702
参考库存:47735
FS100R12KE3
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块 1200V 100A 3-PHASE
1:¥1,170.1941
5:¥1,147.2212
10:¥1,093.7383
25:¥1,070.7654
参考库存:4408

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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