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晶体管
TPN6R003NL,LQ参考图片

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TPN6R003NL,LQ

  • Toshiba
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch DTMOS VII-H 32W 1050pF 56A 30V
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库存:27,593(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥7.2998
7.2998
10
¥5.6048
56.048
100
¥3.616
361.6
1,000
¥2.8928
2892.8
3,000
¥2.4408
7322.4
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TSON-Advance-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
56 A
Rds On-漏源导通电阻
6.8 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.3 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
17 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
32 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Reel
高度
0.85 mm
长度
3.1 mm
系列
TPN6R003NL
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
3.1 mm
商标
Toshiba
下降时间
3.3 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
4.1 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
18 ns
典型接通延迟时间
11 ns
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 80V N Channel Power Trench MosFET
1:¥7.9891
10:¥6.7574
100:¥5.198
500:¥4.5878
3,000:¥3.2092
9,000:查看
参考库存:58578
晶体管
MOSFET 40V 15A AEC-Q101 Qualified
1:¥10.2943
10:¥8.5315
100:¥6.5427
500:¥5.6274
1,000:¥4.4409
3,000:¥4.4409
参考库存:43515
晶体管
MOSFET Automotive-grade N-channel 30 V, 0.004 Ohm typ., 80 A STripFET H6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 package
1:¥12.4526
10:¥10.5994
100:¥8.4524
500:¥7.4015
3,000:¥5.7065
6,000:查看
参考库存:7037
晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT 5.5-5.8GHz, 15 Watt
1:¥522.6702
10:¥494.4654
25:¥480.4082
50:¥473.3344
参考库存:2594
晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT VHF-3.0GHz, 15 Watt
1:¥531.1226
参考库存:2611
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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