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晶体管
SI4103DY-T1-GE3参考图片

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SI4103DY-T1-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET -30V Vds 20V Vgs SO-8
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数量单价合计
1
¥5.989
5.989
10
¥4.8025
48.025
100
¥3.6386
363.86
500
¥3.0171
1508.55
1,000
¥2.4182
2418.2
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SO-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
16 A
Rds On-漏源导通电阻
7.9 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
140 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
5.2 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
晶体管类型
1 P Channel
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
60 S
下降时间
26 ns, 28 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
17 ns, 38 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
55 ns, 78 ns
典型接通延迟时间
11 ns, 57 ns
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BC817K25E6327HTSA1
Infineon Technologies
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) AF TRANS GP BJT NPN 45V 0.5A
1:¥1.6159
10:¥1.469
100:¥0.52206
1,000:¥0.34578
3,000:¥0.26894
参考库存:168413
JANTXV2N2907A
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small-Signal BJT
1:¥64.7038
10:¥58.2402
25:¥53.0987
100:¥47.8668
参考库存:4285
DTC144GKAT146
ROHM Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 NPN 50V 100MA
1:¥1.4577
10:¥1.2882
100:¥0.45313
1,000:¥0.30736
3,000:¥0.23052
参考库存:47049
HGTG30N60B3D
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
IGBT 晶体管 600V IGBT UFS N-Channel
1:¥49.7878
10:¥44.9514
25:¥42.8722
100:¥37.2674
参考库存:5617
PHP225,118
Nexperia
晶体管
MOSFET TAPE-7 MOSFET
1:¥4.8364
10:¥4.0454
100:¥2.6103
1,000:¥2.0905
2,500:¥1.7628
参考库存:41304

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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