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晶体管
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MJW21195G

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 16A 250V 200W PNP
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数量单价合计
1
¥30.5778
30.5778
10
¥25.9674
259.674
100
¥22.5096
2250.96
250
¥21.357
5339.25
500
¥19.21
9605
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247-3
晶体管极性
PNP
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
250 V
集电极—基极电压 VCBO
400 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
集电极—射极饱和电压
1 V
最大直流电集电极电流
16 A
增益带宽产品fT
4 MHz
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
MJW21195
高度
21.08 mm (Max)
长度
16.26 mm (Max)
封装
Tube
宽度
5.3 mm (Max)
商标
ON Semiconductor
集电极连续电流
16 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
20
Pd-功率耗散
200 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
30
子类别
Transistors
单位重量
38 g
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MUN2135T1G
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PNP DIGITAL TRANSISTOR
1:¥1.3108
10:¥1.12209
100:¥0.40002
1,000:¥0.26103
3,000:¥0.20001
参考库存:168651
STP62NS04Z
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET N-Ch Clamped 62 Amp
1:¥11.752
10:¥9.9892
100:¥7.9891
500:¥7.0173
参考库存:11058
TK5A65D(STA4,Q,M)
Toshiba
晶体管
MOSFET N-Ch FET 650V 2.6s IDSS 10 uA 1.2 Ohm
1:¥12.4526
10:¥10.0683
100:¥8.0682
500:¥7.0286
参考库存:4680
IRF6712STRPBF
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET 25V SINGLE N-CH 20V VGS HEXFET
1:¥9.9892
10:¥8.4524
100:¥6.5427
500:¥5.7856
4,800:¥4.0454
9,600:查看
参考库存:27437
ZXM62P02E6TA
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET 20V P-Chnl HDMOS
1:¥5.3788
10:¥4.5313
100:¥2.9154
1,000:¥2.3391
3,000:¥2.3391
参考库存:27939

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    50万现货SKU

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