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晶体管
IRGP4069D-EPBF参考图片

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IRGP4069D-EPBF

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 600V Low VCEon Trench IGBT
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库存：6,000(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥63.5512
63.5512
10
¥57.404
574.04
25
¥54.7824
1369.56
100
¥47.5617
4756.17
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247AD-3
安装风格
Through Hole
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.85 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
76 A
Pd-功率耗散
268 W
封装
Tube
高度
20.7 mm
长度
15.87 mm
宽度
5.31 mm
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
400
子类别
IGBTs
零件号别名
SP001534110
单位重量
38 g
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
RM6N800LD-T
Rectron
晶体管
MOSFET D-PAK MOSFET
2,500:¥5.7743
5,000:¥5.2658
10,000:¥4.8138
参考库存:56103
2SA2142(TE16L1NQ)
Toshiba
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) High-Voltage Switch Vceo -600V Ta 25c
暂无价格
参考库存:56108
JAN2N5238S
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
100:¥159.0588
250:¥145.9169
500:¥138.8544
参考库存:56113
JANTX2N4033UB/TR
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
100:¥250.4193
250:¥229.8307
参考库存:56118
RM135N100HD-T
Rectron
晶体管
MOSFET D2-PAK MOSFET
800:¥7.9891
2,400:¥6.8365
4,800:¥6.2376
9,600:¥5.6952
参考库存:56123

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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